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    半导体探测器简介

    2017/5/23 10:43:15

    半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅,其基本原理与气体电离室相类似,故又称固体电离室。
    半导体探测器的前身可以认为是晶体计数器。早在1926年就有人发现某些固体电介质在核辐射下产生电导现象。后来,相继出现了氯化银、金刚石等晶体计数器。但是,由于无法克服晶体的极化效应问题,迄今为止只有金刚石探测器可以达到实用水平。半导体探测器发现较晚,1949年开始有人用α 粒子照射锗半导体点接触型二极管时发现有电脉冲输出。到1958年才出现第一个金硅面垒型探测器。直至60年代初,锂漂移型探测器研制成功后,半导体探测器才得到迅速的发展和广泛应用。

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